超聲波流量計(jì)芯片的原理探討  六十八

(3)電容充電控制電路版圖

超聲波流量計(jì)電容充電控制電路是根據(jù)捕捉到的STOP電平高低變換信號來控制開關(guān)的打開與關(guān)閉。因?yàn)橥饨尤齻�(gè)不同的充電電容，為了使電容充電操作一致，在版圖中采用對稱的設(shè)計(jì)，各個(gè)信號到達(dá)三個(gè)電容開關(guān)的線路基本一致，減小誤差。

(4)電阻

在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中，電阻有使用硅化物阻擋層Poly電阻、擴(kuò)散電阻、阱電阻等形式。其中擴(kuò)散電阻與阱電阻隨工藝及溫度變化很大，而Poly電阻對襯底電容小和失配小，具有線性度高等特點(diǎn)，故在本設(shè)計(jì)中均采用的Poly電阻。

(5)ESD保護(hù)

ESD是當(dāng)今MOS集成電路中最重要的可靠性問題之一。在芯片上由于種種原因可能積累電荷，當(dāng)電荷積累到一定程度，放電過程就會擊穿MOS管，造成永久的損壞。ESD現(xiàn)象主要能對電子器件造成以下的損壞：在半導(dǎo)體器件中由于介質(zhì)擊穿而導(dǎo)致氧化物薄膜破裂；由于EOS(electrical overstrcss)引起過熱導(dǎo)致金屬導(dǎo)線熔化；由于寄生PNPN結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致CMOS器件閉鎖；使元器件結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生潛藏的缺陷，它們并不立即失效，但會引起斷續(xù)的故障以及長期可靠性問題。為了避免靜電對電路的破壞，需要在電路中加個(gè)靜電釋放模塊，也就是ESD電路。